我国探明新型二维半导体材料性质

　　近日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。
　　2月7日，相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上，并被选为热点论文。