DRAM存储器价格保持上行趋势，NAND flash价格涨幅扩大，4GB 1600MHz DRAM价格涨至1.606美元，4GB eTT DRAM价格涨至1.160美元，32GB NAND flash价格涨至2.287美元，64GB NAND flash价格涨至2.420美元。11月北美PCB出货量同比增速持续扩大，订单量同比增速上升。国内软件产业利润总额平稳增长，11月累计同比增长11.0%，增速较上月减少0.9个百分点。
DRAM是存储器市场上的常青树，从1966年IBM研发出世界上第一块易失性存储器（DRAM）开始，它就一直在我们的计算系统中占据着核心位置。从现有的计算机系统结构来看，存储器分为缓存、内存（主存储器）、外存（辅助存储器）三大类。
DRAM存储器和Flash闪存芯片是当前市场中最为重要的存储器。DRAM是最为常见的系统内存，虽然性能较为出色，但是其断电易失，相比于其同级别的易失性存储器，其成本更低，故而其在系统内存中最为常见；Flash则是应用最广泛的非易失性存储，其断电非易失性使其主要被应用于大容量存储领域。
当前DRAM的应用领域分为移动设备、服务器、PC、消费电子等主要领域。
智能手机出货量面临瓶颈的背景下，移动端DRAM需求增长主要来自单机内存容量的提升。但服务器和企业用DRAM需求则受益于大数据和AI训练等新需求而快速增长。新兴需求推动当前高度集中的DRAM市场格局难以适应推陈出新不断发展的需求变化，正是新厂商的进入良机。
DRAM储存器价格保持上行趋势，NAND flash价格涨幅扩大。寒假、春节销售旺季到来厂商备货意愿加强，叠加5G建设拉动手机市场及服务器对存储器的需求，存储器价格涨幅加大。截至1月6日，4GB 1600MHz DRAM价格周涨2.55%至1.606美元；4GB eTT DRAM价格环比上周上涨2.20%至1.160美元。32GB NANDflash价格上涨1.28%，收于2.287美元；64GB NAND flash价格环比上周上涨1.38%至2.420美元。
